MOS管全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管结构： MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，是由掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极之间的N/P型半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅。就构成了一个N/P沟道增强型MOS管。