碳化硅-MOSFET晶体管性能优点

碳化硅场效应晶体管（SIC MOSFET）使用第三代宽紧带半导体材料碳化硅制作，应用于各种开关电路和功率模块硅化具有硅材料10倍以上的临界电场强度，三倍禁带宽度和三倍的导热率，因而SIC MOSFET在相同功率等级下有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅度降低，高温特性好，可大幅减小功率模块的体积和提高在高温工作下的稳定性。

碳化硅-MOSFET晶体管性能优点

碳化硅场效应晶体管（SIC MOSFET）使用第三代宽紧带半导体材料碳化硅制作，应用于各种开关电路和功率模块硅化具有硅材料10倍以上的临界电场强度，三倍禁带宽度和三倍的导热率，因而SIC MOSFET在相同功率等级下有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅度降低，高温特性好，可大幅减小功率模块的体积和提高在高温工作下的稳定性。