在过去的十五到二十年中，碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着Sic单晶和外延材料技术的进步，各种类型的Sic器件被开发出来。Sic器件主要包括二极管和开关管。Sic二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PIN结构型二极管。Sic开关管的种类较多，具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管（MOSFET）、结型场效应管（JFET）、绝缘栅双极开关管（IGBT)三种。